三星最新的QLC V-NAND综合采用了多项突破性技术,其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数
推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND,为各种AI应用提供优质内存解决方案
深圳2024年9月12日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布,三星首款1太比特(Tb)四层单元(QLC)第九代V-NAND(V-NAND)已正式开始量产。
今年四月,三星启动了其首批三层单元(TLC)第九代V-NAND的量产,随后又率先实现了QLC 第九代V-NAND的量产,这进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。
“在距上次TLC版本量产仅四个月后,QLC第九代V-NAND产品成功启动量产,使我们能够提供,能够满足人工智能时代需求的完整阵容的SSD解决方案。”三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示:“随着企业级SSD市场呈现日益增长的趋势,对人工智能应用的需求更加强劲,我们将通过QLC和TLC第九代V-NAND继续巩固三星在该领域的市场地位。”
三星计划扩大QLC第九代V- NAND的应用范围,从品牌消费类产品开始,扩展到移动通用闪存(UFS)、个人电脑和服务器SSD,为包括云服务提供商在内的客户提供服务。
三星QLC第九代V-NAND综合运用多项创新成果,实现了多项技术突破。
- 三星引以为傲的通道孔蚀刻技术(Channel Hole Etching),能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。三星运用在TCL第九代V-NAND中积累的技术经验,优化了存储单元面积及外围电路,位密度比上一代QLC V-NAND提升约86%。
- 预设模具(Designed Mold)技术能够调整控制存储单元的字线(WL)间距,确保同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致,达到最佳效果。V-NAND层数越多,存储单元特性越重要。采用预设模具技术使得数据保存性能相比之前的版本提升约20%,增强了产品的可靠性。
- 预测程序(Predictive Program)技术能够预测并控制存储单元的状态变化,尽可能减少不必要的操作。这项技术进步让三星QLC第九代V-NAND的写入性能翻倍,数据输入/输出速度提升60%。
- 低功耗设计(Low-Power Design)技术使得数据读取功耗约分别下降了约30%和50%。这项技术降低了驱动NAND存储单元所需的电压,能够仅感测必要的位线(BL),从而尽可能减少功耗。
[ 编辑: prnasia ]